半导体产业是现代科技的基石，但其生产过程中产生的废水成分极其复杂且危害深远，对传统处理技术提出了严峻挑战：

　　强酸强碱： 大量使用氢氟酸（HF）、硫酸、硝酸、氨水等进行晶圆清洗和蚀刻，导致废水pH值波动剧烈，腐蚀性强。

　　氟化物污染： 氢氟酸蚀刻带来的氟离子浓度极高，具有生物累积性，处理难度极大。

　　高浓度有机物： 光刻胶、显影液、剥离液、有机溶剂（如PGMEA、丙酮、异丙醇）产生高COD、高TOC负荷。

　　重金属及特殊污染物： 铜、镍、锡等电镀金属离子；研磨废水（CMP）中的纳米级研磨颗粒（如二氧化硅、氧化铝）和稳定剂。

　　氨氮与磷酸盐： 化学机械抛光（CMP）等工序引入。

　　面对如此棘手的混合污染物，传统生化法常因毒性抑制而失效，物化法处理成本高昂且产生大量危废污泥。30℃低温真空蒸发技术 凭借其独特优势脱颖而出，成为处理半导体废水的“利器”：

　　低温节能革命： 在真空环境下，水的沸点可大幅降低至30℃左右运行。相比传统蒸发器动辄100℃的高温，其能耗（主要是电能驱动真空泵）显著降低，运行成本极具竞争力。

　　广谱高效脱除： 蒸发过程几乎能脱除水中所有不挥发性污染物，对氟化物、重金属、研磨颗粒、高COD有机物、氨氮（需调节pH）等均表现出优异的去除效果（常达99.9%以上），产水水质清澈，大部分指标可达严格回用标准。

　　浓缩减量显著： 将庞大体积的废水高效浓缩成少量（通常仅原体积的5-10%）高浓度废液，极大减少了后续危废处理量及处置成本。

　　抗结垢能力强： 低温运行有效抑制了钙、镁、硅等成垢离子在换热面上的沉积速度，延长了清洗周期和设备使用寿命，保障了运行的连续稳定性。

　　30℃低温蒸发技术以其卓越的污染物去除能力、显著的节能效果和稳定的运行表现，为半导体行业提供了一种高效、经济、可持续的废水处理与资源化解决方案，有力支撑了产业的绿色发展。